型号:NST3906DP6T5G | 类别:晶体管(BJT) - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:SOT-963 | 描述:TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
---|---|
描述 | TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 200mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 40V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 400mV @ 5mA,50mA |
电流_集电极截止111最大222 | - |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 100 @ 10mA,1V |
功率_最大 | 350mW |
频率_转换 | 250MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
供应商设备封装 | SOT-963 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市昭兴微电子有限公司 | 林裕忠0755-23991909 |
深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
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